VS-GB200TH120N

VS-GB200TH120N

零件编号: VS-GB200TH120N
产品分类: IGBT模块
制造商: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
描述: IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
包装: -
ROHS状态: Yes
货币: USD

规格

  • 安装类型 Chassis Mount
  • 工作温度 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200 V
  • 输入 Standard
  • NTC热敏电阻 No
  • 配置 Half Bridge
  • 电流 - 集电极截止(最大) 5 mA
  • 包装/箱 Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • 供应商设备包 Double INT-A-PAK
  • 集电极电流 (Ic)(最大) 360 A
  • 功率 - 最大 1136 W
  • Vce(on)(最大值)@Vge, Ic 2.35V @ 15V, 200A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 14.9 nF @ 25 V