HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

零件编号: HGTD1N120BNS9A
产品分类: 单 IGBT
制造商: Sanyo Semiconductor/onsemi
描述: IGBT NPT 1200V 5.3A TO252AA
包装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态: Yes
货币: USD

规格

  • 安装类型 Surface Mount
  • 功率 - 最大 60 W
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200 V
  • 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • 输入类型 Standard
  • 供应商设备包 TO-252AA
  • IGBT类型 NPT
  • 栅极电荷 14 nC
  • 集电极电流 (Ic)(最大) 5.3 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 6 A
  • Vce(on)(最大值)@Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
  • 开关能量 70µJ (on), 90µJ (off)
  • Td(开/关)@ 25°C 15ns/67ns
  • 测试条件 960V, 1A, 82Ohm, 15V